6ES7 214-2AD23-0XB0

6ES7 214-2BD23-0XB0

6ES7 214-2AS23-0XB0

电源电压

额定值

• 24 V DC

√

√

• 允许范围，下限 (DC)

20.4 V

20.4 V

• 允许范围，上限 (DC)

28.8 V

28.8 V

• 120 V AC

√

• 230 V AC

√

• 允许范围，下限 (AC)

85 V

• 允许范围，上限 (AC)

264 V

• 允许频率范围，下限

47 Hz

• 允许频率范围，上限

63 Hz

负载电压 L+

• 额定值(DC)

24 V

24 V

24 V

• 允许范围，下限 (DC)

20.4 V

5 V

20.4 V

• 允许范围，上限 (DC)

28.8 V

30 V

28.8 V

负载电压L1

• 额定值(AC)

100 V；100 - 230 VAC

• 允许范围，下限 (AC)

5 V

• 允许范围，上限(AC)

250 V

• 允许频率范围，下限

47 Hz

• 允许频率范围，上限

63 Hz

电流消耗

突波电流，*大

28.8 V 时 12 A

264 V 时 20 A

28.8 V 时 12 A

从电源L+ 供电，*大

900 mA; 120 - 900 mA,扩展模块输出电流(5 VDC) 660 mA

900 mA; 120 - 900 mA,扩展模块输出电流(5 VDC) 660 mA

从电源L1供电，*大

220 mA; 35 - 100 mA (240 V); 70 - 220 mA (120 V); 扩展模块输出电流 (5 VDC) 600 mA

后备电池

电池选件

• 后备时间，*大

100 小时；（40 ℃ 时，*短 70 小时）；带有可选电池模块时，200 天（典型值）

100 小时；（40 ℃ 时，*短 70 小时）；带有可选电池模块时，200 天（典型值）

100 小时；（40 ℃ 时，*短 70 小时）；带有可选电池模块时，200 天（典型值）

存储器

存储类型

存储模块数量(选件)

1，可插入存储模块，内容存储在内置的EEPROM中，此外还可以存储配方、数据记录和其他文件。

1，可插入存储模块，内容存储在内置的EEPROM中，此外还可以存储配方、数据记录和其他文件。

1，可插入存储模块，内容存储在内置的EEPROM中，此外还可以存储配方、数据记录和其他文件。

数据和程序存储器

• 数据存储器，*大

10 KB

10 KB

10 KB

• 程序存储器，*大

16 Kibyte；12 KB，有源运行时编辑

16 Kibyte；12 KB，有源运行时编辑

16 Kibyte；12 KB，有源运行时编辑

后备

• 提供

√；程序：集成 EEPROM 上的整个程序免维护，可通过 CPU 编程；数据：集成 EEPROM 上从编程器/PC 加载的整个 DB 1 免维护，RAM 中 DB 1 的电流值，通过高性能电容器，非易失性内存位、计时器、计数器等免维护；可选电池，用于长期缓冲

√；程序：集成 EEPROM 上的整个程序免维护，可通过 CPU 编程；数据：集成 EEPROM 上从编程器/PC 加载的整个 DB 1 免维护，RAM 中 DB 1 的电流值，通过高性能电容器，非易失性内存位、计时器、计数器等免维护；可选电池，用于长期缓冲

√；程序：集成 EEPROM 上的整个程序免维护，可通过 CPU 编程；数据：集成 EEPROM 上从编程器/PC 加载的整个 DB 1 免维护，RAM 中 DB 1 的电流值，通过高性能电容器，非易失性内存位、计时器、计数器等免维护；可选电池，用于长期缓冲